郑有炓


1935年生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。现任南京大学物理系教授。从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中,发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程,发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构,提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质。观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律,开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。2003年当选为中国科学院院士。

郑有炓 - 个人简介

郑有炓,1935年9月生,籍贯福建大田,1957年南京大学物理系(北京大学等五校联合半导体专业)毕业。1984—1

986年美国纽约州立大学(布法罗)访问教授。先后11次赴美、德希腊、荷兰等国参加国际学术交流活动和访问。现任南京大学物理系教授、博士生导师,中国科学院院士,国家重点基础研究发展计划信息科学领域专家咨询组成员、国家自然科学基金委员会信息科学部专家咨询委员会委员。长期致力于新型半导体异质结构材料与器件物理研究,领导创建半导体异质结构研究实验室,主持多项国家重大科研任务,迄今发表论文356篇,SCI收录155篇,SCI引用论文437篇。在南大培养造就了一支轻学术梯队,教授博导6人(包括长江特聘教授1人),获国家杰出青年基金3人,获“2001年全国优秀博士学位论文奖”1人。

郑有炓 - 人物新闻

2006年5月15日,由深圳中国科学院院士活动基地和深圳市教育局共同组织,在深圳市电子技术学校举办了院士报告会。邀请中国科学院院士、南京大学物理系郑有炓教授以“当代信息高科技的挑战”为主题作了专题报告。深圳市电子技术学校院副院长欧阳文伟主持报告会,电子技术学校全体教师及优秀学生代表200余人聆听了报告。


郑有炓院士的报告,从三个部分深入浅出的介绍了”当前飞速发展的信息高科技、信息化与信息社会的内涵及如何面对当代信息高科技的挑战”。郑院士还阐述了“百年电子技术发展史到微电子学,计算机诞生,光通信技术,微波无线通信及显示与照明技术”等。郑院士指出,面对当今的知识经济,高技术蓬勃发展的信息社会时代,科技发展日新月异,知识更新周期越来越短。我们必须努力培养提高自已的科技素质,树立正确地世界观,科学发展观和严谨,求实的科学精神。
放眼高科技蓬勃发展的信息社会,学好基础知识,勇于参加科学实践,一步一个脚印,为中华民族的伟大复兴,为早日进入小康社会作出贡献。
郑院士用生动实翔的例子,将一个一个深奥的科学理论和技术讲得十分通俗易懂,台下观众不时报以热烈的掌声。

2008年6月18日,中国科学院院士、南京大学物理系郑有炓教授和中国科学院院士、中国科技大学物理系俞昌旋教授应邀莅临我院访问和指导工作。医学光电科学与技术教育部重点实验室学术委员会常务副主任谢树森教授、翁祖雄书记、陈荣副院长和李步洪副院长等向来访的两位院士简要汇报了我院在重点学科、重点实验室和学位点建设,以及人才培养和引进等方面情况。接着,两位院士饶有兴趣地参观了教育部重点实验室,他们对实验室近年来所取得的成绩给予了高度的评价,同时也对实验室今后的发展提出了建设性的意见。

郑有炓 - 事迹报告

凭着吃苦耐劳的精神和对科学的向往,郑有炓从闽南山区考到了金陵古都,就读于南京大学物理系。1956年,国家出台“十二年科学远景规划”,致力于发展半导体、原子能、计算机等新科学技术,因此北大、南大、复旦等五所高校联合举办半导体专业,大学三年级的他被选拔到北大读书。毕业后,又在中国科学院进修了一年。

1958年,郑有炓和几位同事回到南京大学,在吴汝麟、熊子舤两位老教授的带领下,努力创办物理系半导体专

业。四十多年来,他的生命轨迹就和南大半(下转第四版)(上接第一版)导体专业的发展紧紧交织在一起。
多年来虽然国家一直倡导半导体研究,但真正与国际接轨一直到了改革开放以后。从80年代初开始,郑有炓致力于新型半导体异质结构材料与器件研究。1984年,他获得一个机会到美国纽约州立大学(布法罗)任访问学者,开始进行半导体科学前沿高科技研究,使他开阔了视野。回国后,经过和同事、学生的多方讨论,他决定开展国际上刚刚萌芽的锗硅异质结构材料研究。

转向高技术领域,当然离不开高精尖的仪器设备。80年代国家科研经费短缺,虽然国外有好的设备,当时就值100多万美元,加上巨额的运转费,买不起也用不起。面对几乎一穷二白的硬件条件,凭借创新的点子和一腔热情,科研工作硬是拉开了序幕。郑有炓和年青教师、学生一起,总结当时半导体所用的新技术,发展了锗硅异质结构材料光辐射加热超低压CVD生长方法,自己设计、利用南京工厂的加工条件,竟然用超低的十多万元经费,研制出一套计算机控制的生长设备,制备出优质锗硅异质结构材料。
事实证明,郑先生当初的决断是正确的,十多年过去了,锗硅异质结构材料依然是当前半导体研发的热点。

科研工作首战告捷,郑有炓信心更足了。他紧抓住半导体科学技术发展的前沿热点,既有重要的科学意义,又有技术应用价值。结合承担的国家863计划、攀登计划、973项目及国家自然科学基金等科研任务,他带领研究组师生开展一系列研究,在锗硅、Ⅲ族氮化物和氧化锌宽带隙半导体研究领域里,支撑起一片属于南大、属于中国的天地。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中,发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的新方法、新技术,从极化能带级带工程出发,创新发展了多种新器件;提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系;发现锗硅合金应变诱导有序化新结构,提出新模型;揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质,观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律,开拓Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ族异质体系二维电子气研究领域;提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。

在开展科学研究的同时,郑有炓从未间断过教书育人的工作。他相信只有培养更多的青年英才,才会使科学研究薪火相传。十多年来,他努力建立起一支学术梯队。培养年轻教授6人,包括长江特聘教授1人,博导6人,国家杰出青年基金3人,培养了一大批硕士生、博士生,其中1人获2001年全国优秀博士学位论文奖。他本人则多次获江苏省“优秀学科带头人”、“优秀高校教师”和“优秀科学工作者”荣誉。

郑有炓形容他们的研究组就像一个平等的大家庭,倡导的是科学民主的氛围,他说:“我在科研中把握好前沿方向,剩下的,就要充分调动年轻人的积极性。”

郑有炓待人一向很客气,那么多年,没有跟别人红过脸。即使对学生,他也抱着尊重爱护的态度。
学生遇到实验事故,把仪器烧坏了。郑有炓安慰他们:“不用怕。工作就要大胆去做,把仪器抱在怀里,怎么出成果?”

学生出国深造了,他总是高高兴兴地送他们走。郑有炓说:“我主张他们多出去看看。现在国内科研有经费,有奔头,不比国外差,我安心地放飞,他们回来会发挥更大作用”。事实证明,他的研究组年轻教师如愿地个个成为学术骨干,成为敢于和善于攀登科技高峰的闯将。

爱人者,人恒爱之。前几天公布新增院士评选结果时,远在异国他乡的学生们纷纷发来了贺信贺电。在瑞典皇家工学院工作的王永宾同学最早发来了贺信,并在EMAL中发来了78级半导体专业毕业生精心制作的贺卡。望着贺卡中学生们一张张今昔对应的脸庞,郑有炓由衷地感到了一种幸福!

“我喜欢物理。”年少时的兴趣使郑有炓走上了科研道路。然如果没有过人的毅力,这条科研之路不会走得那么远。文革期间,他被下放到溧阳,在半导体工厂车间工作。他感到很“幸运”:“好了,总算搭着专业的边,还可以训练动手能力。”

在美国任访问学者期间,他全力以赴地扑在科研上,以至有同学不解地问:“郑老师,你都是教授了,怎么还跟学生那样一天到晚钻在实验室呢?”

回国自己搞科研,还要教学,为了实验数据,常常几天几夜不睡觉,从实验室里出来喘口气,再晚也得把明天上课的教案备好。

岁至晚年,他还坚持学会了使用电脑,学术报告、科研论文,都是自己编排打印完成。

屈指算来,郑先生也已年近古稀,身边的老同事早一一退休了。68岁当选院士,一个新的人生平台又展现在眼前。郑先生动情地说:“感谢多年来学校和课题组的支持,我会继续发挥我的能量,为学校发展献计献策,为我们的课题组多作一些贡献。”

面对这样一位慈祥智慧、蔼如春风的长者,我想,谁都会衷心祝福他——愿先生一曲晚唱更动人!

郑有炓 - 学术论文

1、测量MOS结构界面特性的变频C-V法,南京大学学报,vol.26,no.2,212,1990
2、测量金属-半导体界面态的肖特基电容谱技术,电子测量与仪器学报,vol.3,no.1,12,1989
3、GaInAs/Al2O3的界面研究,半导体学报,vol.10,no.10,1989
4、N-沟增强型InPMISFET研究,半导体学报,vol.9,no.3,1988
5、导电聚合物P3MT的荧光谱,物理学报,vol.37,no.3,1988
6、聚乙炔半导体热激电流谱研究,半导体学报,vol.9,no.6,1988
7、计算机控制和处理的深能级瞬态谱研究,电子学保,vol.16,no.4,1988
8、GaInAs/InP异质结二维电子气,半导体学报,vol.8,no.5,1987
9、PECVDSiO2-InPMIS结构研究,固态电子学研究与进展,vol.7,no.3,1987
10、注硅InP的包封与无包封热退火,固态电子系研究与进展,vol.7,no.1,1987
11、SiO2/InPMIS结构界面态和体深能级研究,南京大学学报,vol.22,no.4,1986
12、PECVDSiO2/InP结构的AES和XPS分析,南京大学学报,vol.22,no.4,1986
13、分子束外延生长CdTe/InSb异质结输运性质研究,半导体物理与教学,p.209,1986
14、用椭偏光学方法研究GeSi超晶格结构,半导体学报,1992
15、GaAs/Si异质外延的新进展,,vol.11,no.4,324,1991
16、GeSi/Si异质界哦故的近红外吸收光谱测量,半导体光电,vol.12,no.4,399,1991
17、RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜电学性质,半导体学报,vol.12,no.7,1991
18、用椭偏光学方法研究GexSi1-x/Si超晶格结构,半导体学报,1992
19、Ga0.47In0.53As/SiO2与Ga0.47In0.53As/Al2O3的界面性质,半导体学报,vol.10,no.10,1989
20、PhononPartic:pationinthelightemissionprocessofPorousGeSilayer,Chinesephys.Lett.,vol.10,no.5,1993
21.、hestructureandpropertyofSiGe/Siquantumwells,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
22、RamanscatteringspectroscotyofGeSi/Sistrainedlayersuperlattice,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
23、NovelPhotocurrentResponefoaporoussilicon,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
24、PhaseformationandGesegregationinthethremalreactionbetweenPtandGeSi/SiHetewostructure,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993
25、锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制,固体电子学研究与进展,vol.12,no.4,1992
26、锗硅应变层超晶格生长研究,物理学进展,no.1,1993
27、SiGe/Si应变层超晶格量子阱微结构材料的生长与掺杂技术,锗硅应变层超晶格材料与器件应用(国家科委信息领域办,863光电子主题专家组出版)
28、SiGe/Si应变层超晶格量子阱材料的优化设计及新器件的发展展望,锗硅应变层超晶格材料与器件应用(国家科委信息领域办,863光电子主题专家组出版)
29、StudyofGemovementduringthermalreactionsbetweenPtandGe/Siheterostructures,Appl.phys.lett,vol.62,no.25,1993
30、Si基GaN的微结构表征,光散射学报.2003,15(4)
31、用MOCVD方法制备的GaN1-xPx三元合金的喇曼与红外光谱,半导体学报.2004,25(1)
32、耦合双量子点中基态电子的隧穿特性,半导体学报.2004,25(1)
33、p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列,半导体学报.2004,25(2)
34、InfluenceofPolarizationEffectsontheEnergyBandofAlGaN/GaN/AlGaNHeterostructures,ChinesePhysicsLetters(中国物理快报:英文版).2004,21(4)
35、AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制,固体电子学研究与进展.2004,24(1)
36、蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长,功能材料.2004,35(2)
37、Zn1-xMgxO薄膜的低压MOCVD生长与性质,半导体学报.2004,25(7)
38、ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长,半导体学报.2004,25(7)
39、GaNGrowthwithLow-TemperatureGaNBufferLayersDirectlyonSi(111)byHydrideVapourPhaseEpitaxy,ChinesePhysicsLetters(中国物理快报:英文版).2004,21(9)

郑有炓 - 科研项目

1、1991-1995,负责国家八六三计划项目“GeSi超晶格材料与应用”
2、1991-1995,负责国家重大基础研究项目“GeSi超晶格材料生长、物性和器件开发”
3、1992-1994,负责国防科工委项目“GeSi红外探测器”
4、1992-1994,负责国家自然科学基金项目“GeSi基区异质结晶体管研究”
5、1991-1995,负责省科委项目“GeSi材料与器件研究开发”
6、1991-1992,负责省科委项目“新型GeSi红外探测器研究”
7、1993-1995,负责国家高技术863计划项目“应变层结构GeSi/Si的稳定性及其改善对策研究”
8、1993-1995,负责国家高技术863计划项目“GeSi/Si异质结构材料生长研究”
9、1993-1995,指导国家教委博士点基金项目“GeSi/Si超晶格材料表征研究”
10、1993-1995,指导南京大学基金项目“GeSi/Si超晶格选择外延研究”
11、1993-1995,负责江苏省科委项目“新型GeSi材料与器件研究开发

郑有炓 - 科研成果

1、1991.6,“快速辐射加热,超低压化学气相淀积原子级外延方法与系统”通过国家科委鉴定
2、1990,“半导体界面测试的变频C-V技术”通过江苏省科委鉴定
3、1990.1,“一种获得半导体异质结与超晶格材料的方法及设备”获中国专利局发明专利,专利号:90105603.0
4、1990.12.30,“半导体界面态变频C-V测量仪”获国家专利,专利号:90227508
5、1992,“一种获得低表面分凝Si-GeSi异质结构外延生长方法”获国家专利,专利号:92109725.5

郑有炓 - 获奖情况

1、1989,“聚合物半导体薄膜及其应用的基础研究”获江苏省科技进步三等奖


2、1988,“InP-MIS界面与InP-MIS晶体管研究”获江苏省科技进步三等奖
3、1990,“半导体变频C-V/G-V方法和VFC-1型微机变频C-V测试系统”获江苏省科技进步三等奖
4、1991.9,获江苏省优秀教育工作者奖
5、1992,获国防科工委光华科技基金一等奖
6、1992,获国家科委国家高技术八六三计划先进工作者一等奖
7、1992,获江苏省优秀科技工作者称号
8、1992,获国务院颁发政府特殊津贴
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