范绪筠

范绪筠 物理学家。1912年7月15日生于江苏省上海县(今上海市),1990年5月逝于美国。1932年毕业于哈尔滨工业学校,同年赴美。1934年在麻省理工学院获硕士学位,1937年于该校获科学博士学位。同年回国,在清华大学无线电研究所从事研究。抗日战争爆发后,学校迁至昆明,成为西南联合大学一部分。

范绪筠 - 基本资料

姓名:范绪筠
出生日:1912年7月15日
星座:巨蟹座
性别:男
血型:未知
地区:中国
出生省:上海
出生市:上海

范绪筠 - 个人概述

物理学家。1912年7月15日生于江苏省上海县(今上海市)。1932年毕业于哈尔滨工业学校,同年赴美。1934年在麻省理工学院获硕士学位,1937年于该校获科学博士学位。同年回国,在清华大学无线电研究所从事研究。抗日战争爆发后,学校迁至昆明,成为西南联合大学一部分。范绪筠在此期间注意到德国杂志上关于半导体接触问题的研究。他对此问题极为重视,并且进一步作理论探讨,完成两篇颇有价值的论文《固体间电接触的理论》和《金属间以及金属和半导体间的接触》,均发表在1942年的《物理学评论》上。范绪筠在这两篇文章里,定性和定量地讨论了金属和半导体的不同特性,特别是半导体中传导电子的密度可能会出现偏离正常值相当大的现象,对固体电子学的发展,尤其是第二次世界大战以后的半导体广泛应用起了十分重要的作用。

1947年,范绪筠乘休假期间又回到美国麻省理工学院从事研究工作。普度大学因对范绪筠1942年发表的两篇理论文章深感兴趣,遂邀请他到该校从事研究。范绪筠在普度大学做了两年访问教授以后,继续留在那里,1949—1951年任副教授,1951—1963年任教授,1963年起为该校物理学邓肯教授,直到1978年退休。1957年加入美国籍。范绪筠在普度大学开始阶段从事于半导体吸收限的工作,当时最引人注意的半导体是锗和硅,范绪筠用实验证明锗和硅有吸收限,用光的性质来证明半导体有禁带(见固体的能带)。以后他还进行半导体晶体缺陷的研究,他发表了100多篇论文,曾多次参加半导体物理国际会议。

范绪筠是美国国家研究委员会固体科学小组的成员,曾任美国国家科学基金会和国家科学院各种委员会和评审小组的成员,1969—1972年曾任国际纯粹物理学与应用物理学联合会半导体委员会的通讯会员,1959—1961年是美国物理学会固体物理行政委员会成员。

范绪筠 - 个人成就

范绪筠(1912—?)从40年代起在昆明清华大学无线电研究所从事半导体物理的理论与实验研究,发现了半导体中导电电子密度可能偏离其正常值相当大的现象,并定量地讨论了两个物体接触处附近的势位和电子密度分布;40年代末,他在当时最为人们重视的锗与硅半导体方面的研究取得了许多成就。

范绪筠 - 参考资料

1、http://m.chinabaike.com/article/sort0525/js/2007/200712191025525.html
2、http://m.souku.com.cn/viewtitle.jsp?url=4259300

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